您当前位置: 首页 > 广东固锝电子科技有限公司 > > 台湾固锝(图)、大功率tvs管、tvs

广东固锝电子科技有限公司

  • 台湾固锝(图)、大功率tvs管、tvs

台湾固锝(图)、大功率tvs管、tvs

联系人: 李先生    点击这里给我发消息

手机:13712330701

电话:0769-22857660

交易谨防上当受骗!请看-->防骗指南

企业名称:广东固锝电子科技有限公司

企业商铺:http://YZT20141114120111.sooshong.com

联系地址:东莞-广东省东莞市莞城区东兴路52号振兴大厦7楼

企业信息

广东固锝电子科技有限公司

李先生

电话:0769-22857660

手机:13712330701

传真:0769-22858186

点击这里给我发消息

经营模式:生产型

所在地区: 东莞

   

产品分类

详细信息


国际电子联合会半导体器件型号命名方法


德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:

一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eggt;1.3eV D-器件使用材料的Eglt;0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;

其后缀二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;

后缀的三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字,tvs,表示器件的大反向峰值耐压值,单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出大反向峰值耐压值和大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。


关于详情,敬请来电垂询!

联 系 人:苏先生








半导体的发展史

1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。

  1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养一批半导体人才。培养出了一批教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的一批研究生中有王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。

  1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。

应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。

  1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI(甚大规模集成电路),大功率tvs管,届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

  1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。

  1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。

  1962年,二极管tvs,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。

  1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

  1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

  1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

  1968年,组建东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。

  1968年,上海无线电十四厂制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。

  七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,tvs全聚合,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂主要有:上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。

  1972年,中国一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。



关于详情,敬请来电垂询!


联 系 人:苏先生






肖特基二极管的检测

肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

(1)性能比较

肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平均整流电流很小,不能作大电流整流用。

(2)检测方法

下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。被测管为B82-004型肖特基管,共有三个管脚,外形如图4所示,将管脚按照从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量。



关于详情,敬请来电垂询!

联 系 人:苏先生



台湾固锝(图)、大功率tvs管、tvs由广东固锝电子科技有限公司提供。广东固锝电子科技有限公司(www.goodark.asia)为客户提供“二三极管,MOS管和IC产品”等业务,公司拥有“台湾固锝(TGD)”等品牌。专注于二极管等行业,在广东 东莞 有较高知名度。欢迎来电垂询,联系人:李先生。

免责声明: 本页面展示的[台湾固锝(图)、大功率tvs管、tvs]均由用户自行提供和来自互联网,其真实性、合法性、等均由【广东固锝电子科技有限公司】自行负责,首商网对此不承担任何保证责任。