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MOS管8205A,SOT23/6 ,SOP8

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详细信息

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ

RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ

RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ

 Features

Ø Advanced trench process technology

Ø High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

Ø High Power and Current handing capability

Ø Ideal for Li ion battery pack applications

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